突破技术瓶颈 奇梦达推出30纳米制程

　　奇梦达现阶段采用与主流堆栈式（Stack）不同的沟槽式（Trench）技术发展DRAM制程，但沟槽式技术碍于物理极限，其技术延伸性一直受到质疑。随奇梦达发展出可应用至30纳米的新技术，为沟槽式DRAM阵营技术延伸找到新出口。目前台湾DRAM厂中，共有华亚科、南亚、华邦与奇梦达有合作关系，同属沟槽式DRAM阵营的一员，目前与奇梦达的合作关系都在58纳米。对于之后何时开始采用新技术，华亚科与华邦昨天均表示“尚在评估中”。

　　奇梦达表示，Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及小芯片尺寸的特性，可应用至30纳米工工艺，目前奇梦达已推出此尖端技术的65纳米制程，计划在今年下半年开始生产1Gb DDRII产品，目标在明年下半年开始量产46纳米Buried Wordline DRAM技术。

　　奇梦达还指出，与58纳米沟槽式技术相比，46纳米的Buried Wordline DRAM技术会提供每晶圆超过两倍以上的位率，也就是说存储密度增加了两倍。奇梦达规划，将在2009及2010年度，利用自有资金来做为制程转换的投资，估计这项一次性约1亿欧元的投资，将运用于转换现有的沟槽产能至Buried Wordline技术。